德州仪器新型即用型600V

德州仪器新型即用型600V氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)功率级产品组合可支持高达10kW的应用

凭借2000万小时的器件可靠性测试,带集成驱动和保护功能的高压GaN FET在工业和电信应用中将功率密度提高了一倍。

2018年10月29日,北京讯 - 德州仪器TI)近日宣布推出支持高达10kW应用的新型即用型600 V氮化镓(GaN),50mΩ和70mΩ功率级产品组合。与AC/DC电源、机器人、可再生能源、电网基础设施、电信和个人电子应用中的硅场效应晶体管(FET)相比,LMG341x系列使设计人员能够创建更小、更高效和更高性能的设计。

德州仪器新型即用型600V氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)功率级产品组合可支持高达10kW的应用

德州仪器的GaN FET器件系列产品通过集成独特的功能和保护特性,来实现简化设计,达到更高的系统可靠性和优化高压电源的性能,为传统级联和独立的GaN FET提供了智能替代解决方案。通过集成的《100ns电流限制和过温检测,器件可防止意外的直通事件并防止热失控,同时系统接口信号可实现自我监控功能。

LMG3410R050、LMG3410R070和LMG3411R070的主要特性和优势

·更小、更有效的解决方案:与硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)相比,德州仪器的集成GaN功率级可将功率密度提高一倍,并将损耗降低80%。每个器件都具有快速的1MHz开关频率和高达100V/ns的压摆率。

·系统可靠性:本产品组合接受了2000万小时的设备可靠性测试,包括加速和应用内硬开关测试。此外,每个器件均提供集成的散热和高速、100ns过流保护,以防止直通和短路情况。

·每个功率级的设备:50mΩ或70mΩ条件下,本产品组合中的每个器件均提供一个GaN FET、驱动器并提供保护功能,可为低于100W至10kW的应用提供单芯片解决方案。

在德国慕尼黑电子展electronica访问德州仪器

德州仪器(TI)将在德国慕尼黑电子展(2018年11月13日至16日)的C4展厅-131展位展示一个10kW的云网格链接演示。由德州仪器和西门子联合开发的有源演示采用德州仪器的LMG3410R050 600V GaN FET,具有集成驱动器和保护功能,与传统的硅设计相比,帮助工程师实现99%的效率,功率元件尺寸可减少30%。

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标准展位是展览承办单位委托主场搭建商为参展商按统一标准搭建的展位:

标准展位更详细规格如下(仅供参考)

  • 每个标准展位的面积一般为3m×3m2m×3m,高度为2.5m
  • 在标准展位正向上部提供写有中英文参展商名称和展位号的楣板,楣板高度一般为20cm
  • 展位框架为铝合金,装三面墙板,蓝色地毯,顶部安装有二支照明灯;
  • 为每个标准展位提供一张咨询桌、两把椅子及一个220V/50Hz/500W交流电源插座。
  • 位于拐角处的标准展位,默认去掉通道一侧的墙板,增加一面楣板。
  • 同一参展商的两个或多个相邻标准展位,默认去掉中间的墙隔板。
  • 使用标准展位的参展商如还需其它展具,可向展馆租赁,费用自理。
  • 建议参展商在每面墙板上挂三块宣传图文板,每块的尺寸制作成宽900毫米,高1200毫米。宣传图文板用挂绳和挂钩挂在展架上部,下面用双面胶带固定。为了保护展架墙板能够在展览结束后清理干净。

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