中国创锐光谱碳化硅无损检测设备打入国际半导体巨头供应链，打破海外技术垄断
2026年9月，中国创锐光谱自主研发的全球首台瞬态光谱碳化硅（SiC）衬底位错缺陷无损检测设备，正式通过海外头部半导体企业严苛量产验收，成功入驻国际半导体巨头高端宽禁带半导体量产产线，彻底打破欧美、日本企业在高端半导体无损检测领域的长期技术垄断，标志着中国高端无损检测设备正式跻身全球半导体核心供应链体系。随着新能源汽车、高端光伏、功率半导体产业快速迭代，碳化硅作为第三代半导体核心基材，凭借优异的耐高温、高压、高频性能，成为功率芯片的核心原材料，其衬底的晶格缺陷、位错缺陷、微观划痕直接决定半导体芯片的性能与良率。长期以来，全球碳化硅晶圆无损全检设备完全被海外企业垄断，国内半导体产线长期依赖进口设备，采购成本高、交付周期长、技术受制于人，成为制约中国乃至全球宽禁带半导体产业高质量发展的关键瓶颈。
创锐光谱本次落地的瞬态光谱无损检测设备，是针对碳化硅衬底、晶圆微观缺陷检测的专用高端NDT装备，创新性将科研级瞬态光谱成像技术落地工业量产场景，颠覆了传统接触式、破坏性抽检的检测模式，实现碳化硅半导体器件的全程无损、全域、高精度检测。该设备通过高精度瞬态光谱采集与AI智能解析技术，可精准捕捉碳化硅衬底内部位错、层错、晶格畸变、微观孔洞、表面划痕等各类微米级缺陷，全方位覆盖半导体生产全流程质检需求。相较于传统进口设备，该设备检测精度提升15%，检测速度提升30%，可实现产线全自动在线检测，无需人工干预，同时设备适配性更强，可兼容6英寸、8英寸全规格碳化硅晶圆生产。经过产线实测验证，该设备可将碳化硅半导体产品良率提升5%-10%，大幅降低高端半导体量产损耗，为企业创造显著经济效益。
据悉，该设备核心光路系统、算法模型、硬件模块均为中国企业自主研发，累计攻克十余项卡脖子核心技术，拥有完整自主知识产权，彻底摆脱海外技术依赖。此次成功打入国际半导体巨头供应链，不仅是中国无损检测设备的重大突破，更是全球高端半导体检测领域格局重构的重要标志。目前，该设备已斩获海外头部半导体企业批量复购订单，同时获得全球多家宽禁带半导体厂商的合作意向，逐步实现全球化市场布局。行业分析师表示，创锐光谱碳化硅无损检测设备的出海落地，证明中国无损检测技术已从跟随模仿走向自主引领，未来将持续冲击全球高端NDT设备市场，推动全球半导体无损检测行业降本增效、技术革新，助力全球第三代半导体产业规模化、高质量发展
